P-TYPE AND N-TYPE SILICON AND THE FORMATION OF THE PHOTOVOLTAIC BARRIER IN SILICON INGOTS - DISCUSSION

被引：0

作者：

ELLIS, WC

SCAFF, JH

ROBERTSON, WD

STAUSS, HE

BLOOM, MC

机构：

来源：

TRANSACTIONS OF THE AMERICAN INSTITUTE OF MINING AND METALLURGICAL ENGINEERS | 1950年 / 188卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TU [建筑科学];

学科分类号：

0813 ;

摘要：

引用

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