BEHAVIOR OF IMPLANTATION-INDUCED DEFECTS IN HGCDTE

被引：66
作者：
BUBULAC, LO
TENNANT, WE
RIEDEL, RA
MAGEE, TJ
机构：
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1982年 / 21卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1116/1.571728
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：251 / 254
页数：4
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