NEUTRON DEGRADATION OF ION-IMPLANTED AND UNIFORMLY DOPED ENHANCEMENT MODE GAAS JFETS

被引:20
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作者
ZULEEG, R [1 ]
LEHOVEC, K [1 ]
机构
[1] UNIV SO CALIF,LOS ANGELES,CA 90007
关键词
D O I
10.1109/TNS.1978.4329550
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:1444 / 1449
页数:6
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