MEASUREMENT OF EPITAXIAL LAYER RESISTIVITY USING MOS CAPACITANCE METHOD

被引：5
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作者：
GUPTA, DC
ANANTHA, NG
机构：
来源：
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1967年 / 55卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1109/PROC.1967.5752
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1108 / &
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