ELECTROLUMINESCENCE CHARACTERISTICS OF EPITAXIAL GAAS P-N-JUNCTIONS WITH DELIBERATELY COMPENSATED P-TYPE REGIONS AND N-TYPE REGIONS

被引：0

作者：

ALFEROV, ZI ^{[1
]}

ANDREEV, VM ^{[1
]}

GARBUZOV, DZ ^{[1
]}

ERMAKOVA, AN ^{[1
]}

MOROZOV, EP ^{[1
]}

TRUKAN, MK ^{[1
]}

机构：

[1] AF IOFFE PHYS TECHN INST USSR,LENINGRAD,USSR

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1973年 / 6卷 / 10期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：1726 / 1730

页数：5