MODULATION EFFECT BY INTENSE HOLE INJECTION IN EPITAXIAL SILICON SCHOTTKY-BARRIER-DIODES

被引：10

作者：

JAGER, H

KOSAK, W

机构：

[1] BATTELLE INST V,FRANKFURT,WEST GERMANY

[2] AEG TELEFUNKEN,HEILBRONN,WEST GERMANY

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(73)90010-5

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：357 / 364

页数：8

共 13 条

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