HIGH-SPEED BICMOS TECHNOLOGY WITH A BURIED TWIN WELL STRUCTURE

被引：13

作者：

IKEDA, T ^{[1
]}

WATANABE, A ^{[1
]}

NISHIO, Y ^{[1
]}

MASUDA, I ^{[1
]}

TAMBA, N ^{[1
]}

ODAKA, M ^{[1
]}

OGIUE, K ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI LTD,CTR DEVICE DEV,OUME,TOKYO 198,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23085

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1304 / 1310

页数：7