COMPLEMENTARY JFET NEGATIVE-RESISTANCE DEVICES

被引：21

作者：

TAKAGI, H ^{[1
]}

KANO, G ^{[1
]}

机构：

[1] MATSUSHITA ELECTR CORP,RES LAB,TAKATSUKI,OSAKA,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1975.1050651

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：509 / 515

页数：7

共 5 条

[1] DISTRIBUTED GATE BISTABLE MOS TRANSISTOR [J].

FU, HS ;

SAH, CT .

[2] SYNTHESIS OF ELECTRONIC BISTABLE CIRCUITS [J].

HILL, LO ;

PEPPER, RS ;

PEDERSON, DO .

IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUIT THEORY, 1963, CT10 (01) :25-&

KANO, G ;

IWASA, H .

LEHOVEC, K ;

ZULEEG, R .

[5]

THOMAS RE, 1973, INT ELECTRON DEVICE, P338