SUBMICRON EPITAXIAL FILMS FOR GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：19

作者：

FAIRMAN, RD ^{[1
]}

SOLOMON, R ^{[1
]}

机构：

[1] FAIRCHILD RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94306

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2403496

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：541 / 544

页数：4

共 9 条

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