未找到相关数据
DOPING OF SI BY TRANSIENT ANNEALING OF DEPOSITED LAYERS
被引：0
作者：
MAENPAA, M
LAU, SS
VONALLMEN, M
GOLECKI, I
NICOLET, MA
MINNUCCI, J
机构：
[1] CALTECH,DEPT ELECT ENGN,PASADENA,CA 91125
[2] SPIRE CORP,BEDFORD,MA 01730
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
收藏
页码：C348 / C348
页数：1
相关论文