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A MESFET VARIABLE-CAPACITANCE MODEL FOR GAAS INTEGRATED-CIRCUIT SIMULATION
被引：82
|作者：
TAKADA, T
YOKOYAMA, K
IDA, M
SUDO, T
机构：
关键词：
D O I：
10.1109/TMTT.1982.1131127
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：719 / 724
页数：6
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