PROPERTIES OF SILICON P-N JUNCTIONS FORMED BY CS+ IMPLANTATION AT LOW ENERGIES

被引：10
作者：
MEDVED, DB
ROLIK, GP
SPEISER, RC
DALEY, HL
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1963年 / 3卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1063/1.1753853
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：213 / 215
页数：3
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