FERROELECTRIC-PIEZOELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY

被引：10

作者：

CRAWFORD, JC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1971.17309

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：951 / &

共 14 条

[1]

ANDERSON JR, 1953, AIEE T POWER APP SYS, V71, P395

[2]

HAERTLING GH, 1966, AM CERAM SOC BULL, V45, P1084

[3]

HOLLAND R, 1969, IEEE T, VSU16, P173

[4]

KAUFMAN AB, 1969, IEEE T ELECTRON DEVI, VED16, P562

[5]

KAUFMAN AB, 1961, ELECTRONICS

[6] FERROELECTRIC CERAMIC ELECTROOPTIC MATERIALS AND DEVICES [J].

LAND, CE ;

THACHER, PD .

[7]

LAND CE, 1964, IEEE T SONICS ULTRAS, VSU11, P8

[8]

MCCUSKER JH, 1970, IEEE T ELECTRON DEVI, VED17, P534

[9]

PULVARI CF, 1951, J APPL PHYS, V22

[10]

PULVARI CF, 1956, IRE T COMP PARTS, VCP 3, P3