IONIZATION THRESHOLDS IN SILICON AND GERMANIUM AVALANCHE PHOTODIODES UNDER HYDROSTATIC-PRESSURE AND STRAIN

被引：0

作者：

ALLAM, J

CZAJKOWSKI, IK

SILVER, M

ADAMS, AR

GELL, MA

机构：

[1] UNIV SURREY,DEPT PHYS,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND

[2] BRITISH TELECOMMUN PLC,IPSWICH IP5 7RE,SUFFOLK,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.43752

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2625 / 2626

页数：2