共 2 条
- [1] KORBETT D, 1979, TOCHECHNYE DEFEKTY T, P9
- [2] WATKINS GD, 1964, RAD DAMAGE SEMICONDU, P00097
THE ELECTRON-STRUCTURE AND PROPERTIES OF NATURAL INTERSTITIAL ATOMS IN SILICON
被引：0
作者：
ABDULLIN, KA
MUKASHEV, BN
TAMENDAROV, MF
TASHENOV, TB
机构：
来源：
PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
|
1991年
/
17卷
/
18期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页数：4
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