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1.2 GBIT/S, 52.5KM OPTICAL FIBER TRANSMISSION EXPERIMENT USING OEICS ON GAAS-ON-INP HETEROSTRUCTURE
被引:7
作者
:
SUZAKI, T
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机构:
NEC CORP,MICROELETR RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
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SUZAKI, T
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FUJITA, S
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NEC CORP,MICROELETR RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
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FUJITA, S
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INOMOTO, Y
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NEC CORP,MICROELETR RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
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INOMOTO, Y
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TERAKADO, T
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KASAHARA, K
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KASAHARA, K
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ASANO, K
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TORIKAI, T
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ITOH, T
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SHIKADA, M
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SUZUKI, A
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机构
:
[1]
NEC CORP,MICROELETR RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1988年
/ 24卷
/ 20期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19880874
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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相关论文
共 3 条
[1]
GAAS-MESFETS FABRICATED ON INP SUBSTRATES
ASANO, K
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ASANO, K
KASAHARA, K
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KASAHARA, K
ITOH, T
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ITOH, T
[J].
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
1987,
8
(07)
: 289
-
290
[2]
KASAHARA K, 1986, SEP P EUR C OPT COMM, V1, P119
[3]
SUZUKI A, 1987, SEP P EUR C OPT COMM, V3, P37
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共 3 条
[1]
GAAS-MESFETS FABRICATED ON INP SUBSTRATES
ASANO, K
论文数:
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ASANO, K
KASAHARA, K
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KASAHARA, K
ITOH, T
论文数:
0
引用数:
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ITOH, T
[J].
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
1987,
8
(07)
: 289
-
290
[2]
KASAHARA K, 1986, SEP P EUR C OPT COMM, V1, P119
[3]
SUZUKI A, 1987, SEP P EUR C OPT COMM, V3, P37
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