EXCESS NOISE MEASUREMENTS IN ION-IMPLANTED SILICON RESISTORS

被引：16

作者：

BILGER, HR

TANDON, JL

NICOLET, MA

机构：

[1] OKLAHOMA STATE UNIV,STILLWATER,OK 74074

[2] CALTECH,PASADENA,CA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(74)90179-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：599 / 605

页数：7

共 12 条

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