A PRINCIPLE FOR THE FORMULATION OF PLASMA DEVELOPABLE RESISTS AND THE IMPORTANCE OF DRY DEVELOPMENT OF SUB-MICRON LITHOGRAPHY

被引：22

作者：

TSUDA, M ^{[1
]}

OIKAWA, S ^{[1
]}

KANAI, W ^{[1
]}

YOKOTA, A ^{[1
]}

HIJIKATA, I ^{[1
]}

UEHARA, A ^{[1
]}

NAKANE, H ^{[1
]}

机构：

[1] TOKYO OHKA KOGYO CO LTD,SAMUKAWA,KANAGAWA 25301,JAPAN

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1981年 / 19卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.571116

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：259 / 261

页数：3

共 27 条

[1]

Becker R. S., 1969, THEORY INTERPRETATIO

[2]

Birks J.B., 1970, PHOTOPHYSICS AROMATI

[3]

HIRAOKA H, COMMUNICATION

[4]

HUGHES HG, 1979, OCT PHOT PRINC PROC, P207

[5]

MORITA S, 1980, ACS SYM SER, V121, P321

PENN, TC .

[7]

SMITH JN, 1980, 2ND P S DRY PROC TOK, P71

[8]

SUGANO T, 1980, PLASMA PROCESSING SE

[9]

TAYLOR GN, 1980, SOLID STATE TECHNOL, V23, P23

[10]

TSUDA M, 1980, 6TH P INT C MICR