INFLUENCES OF ELECTRIC FIELDS ON PROPERTIES OF EPITAXIAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：0
作者：
MARCHEGAY, P
BLAZQUEZ, M
LOPENAGUE, M
机构：
来源：
COMPTES RENDUS HEBDOMADAIRES DES SEANCES DE L ACADEMIE DES SCIENCES SERIE B | 1968年 / 267卷 / 06期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O [数理科学和化学]; P [天文学、地球科学]; Q [生物科学]; N [自然科学总论];
学科分类号：
07 ; 0710 ; 09 ;
摘要：
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页码：379 / +
页数：1
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共 6 条
[1]  
BLAZQUEZ M, 1968, THESIS BORDEAUX
[2]  
BOSENBERG WA, 1963, RCA REV, V24, P687
[3]  
GROSVALLET J, 1962, ANN RADIOELECTR, V17, P269
[4]   THE FIELD-DEPENDENCE OF CARRIER MOBILITY IN SILICON AND GERMANIUM [J].
PRIOR, AC .
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1959, 12 (02) :175-180
[5]  
SCHOCKLEY, 1952, PIRE, V40, P1365
[6]   FIELD-DEPENDENT MOBILITY ANALYSIS OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR [J].
TROFIMENKOFF, FN .
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS, 1965, 53 (11) :1765-+
1