MOS-DEGRADATION IN INPUT AND OUTPUT STAGES OF VLSI-CMOS-CIRCUITS DUE TO ELECTROSTATIC DISCHARGE

被引：0

作者：

GUGGENMOS, X

机构：

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1988年 / 49卷 / C-4期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1988463

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