PARAMAGNETIC RESONANCE IN AS-DOPED SILICON

被引：24
作者：
HONIG, A
COMBRISSON, J
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW | 1956年 / 102卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRev.102.917.2
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
收藏
页码：917 / 918
页数：2
相关论文
共 4 条
[1]  
CIAROTI, 1954, NUOVO CIMENTO, V12, P519
[2]   A DIRECT METHOD OF MEASURING NUCLEAR SPIN-LATTICE RELAXATION TIMES [J].
DRAIN, LE .
PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION A, 1949, 62 (353) :301-306
[3]   POLARIZATION OF ARSENIC NUCLEI IN A SILICON SEMICONDUCTOR [J].
HONIG, A .
PHYSICAL REVIEW, 1954, 96 (01) :234-235
[4]   ELECTRONIC STRUCTURE OF F-CENTERS - SATURATION OF THE ELECTRON SPIN RESONANCE [J].
PORTIS, AM .
PHYSICAL REVIEW, 1953, 91 (05) :1071-1078
1