PREPARATION AND PROPERTIES OF ZNS-CUGAS2 HETERO-DIODES

被引：22

作者：

NELKOWSKI, H

PETERMANN, K

机构：

[1] Institut für Festkörperphysik der Technischen Universität, Berlin

来源：

JOURNAL OF LUMINESCENCE | 1979年 / 18-9卷 / JAN期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-2313(79)90142-X

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

ZnS/CuGaS2 heterojunctions were grown by liquid phase epitaxy. The forward-biased diodes show different types of emission spectra, which are attributed to PN and MIS injection luminescence, respectively. © 1979.

引用

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