EFFECTS OF A THIN SIO2 LAYER ON THE FORMATION OF METAL-SILICON CONTACTS

被引:45
|
作者
GOODNICK, SM
FATHIPOUR, M
ELLSWORTH, DL
WILMSEN, CW
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1981年 / 18卷 / 03期
关键词
D O I
10.1116/1.570962
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:949 / 954
页数:6
相关论文
共 50 条