IMPROVED SUBTHRESHOLD CHARACTERISTICS OF N-CHANNEL SOI TRANSISTORS

被引：68
作者：
DAVIS, JR [1 ]
GLACCUM, AE [1 ]
REESON, K [1 ]
HEMMENT, PLF [1 ]
机构：
[1] UNIV SURREY,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1986年 / 7卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1986.26477
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：570 / 572
页数：3
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