PREPARATION OF A PT-GAAS SCHOTTKY CONTACT BY ION PLATING

被引：2

作者：

PETO, G ^{[1
]}

ANDERSSON, T ^{[1
]}

机构：

[1] CHALMERS UNIV TECHNOL,DEPT PHYS,S-41296 GOTHENBURG,SWEDEN

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1991年 / 34卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(91)90130-Q

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

Pt has been evaporated on a GaAs surface via acceleration of Pt ions. By increasing the acceleration voltage, an improvement of Schottky contacts was observed.

引用

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