RAPIDLY QUENCHED RIBBON-FORM SILICON AND SILICON-IRON

被引：23

作者：

TSUYA, N

ARAI, KI

机构：

[1] Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1979年 / 18卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.18.207

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

[No abstract available]

引用

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页码：207 / 208

页数：2

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共 3 条

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