VARIATIONAL TREATMENT OF POTENTIAL OF IMPURITY IONS IN SEMICONDUCTORS WITH SPATIALLY VARIABLE DIELECTRIC-CONSTANTS

被引：19
作者：
CSAVINSZKY, P
机构：
来源：
INTERNATIONAL JOURNAL OF QUANTUM CHEMISTRY | 1978年 / 13卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1002/qua.560130207
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ; 081704 ;
摘要：
引用
收藏
页码：221 / 226
页数：6
相关论文
共 6 条
[1]   SPACE DEPENDENCE OF DIELECTRIC FUNCTION IN SI CRYSTAL [J].
AZUMA, M ;
SHINDO, K .
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 1964, 19 (03) :424-&
[2]   THEORY OF SCREENING OF IMPURITY IONS IN SEMICONDUCTORS WITH SPATIALLY-VARIABLE DIELECTRIC-CONSTANTS [J].
CSAVINSZKY, P .
PHYSICAL REVIEW B, 1976, 14 (04) :1649-1659
[3]   ASYMPTOTIC CORRECTIONS TO POTENTIAL OF IMPURITY IONS IN SEMICONDUCTORS WITH SPATIALLY VARIABLE DIELECTRIC-CONSTANTS [J].
CSAVINSZKY, P .
PHYSICAL REVIEW B, 1977, 15 (06) :3281-3284
[4]  
CSAVINSZKY P, 1976, INT J QUANT CHEM S, V10, P305
[5]  
DINGLE RB, 1955, PHILOS MAG, V46, P831
[6]  
OKURA S, 1964, J PHYS SOC JPN, V20, P1099
1