PHOTOSENSITIVITY SPECTRA OF GAPXAS1-X-GAAS N-N HETEROJUNCTIONS

被引：0

作者：

ALFEROV, ZI

GAMAZOV, AA

ZIMOGORO.NS

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1968年 / 2卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：493 / &

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共 5 条

[1]

ALFEROV ZI, 1967, FIZ TVERD TELA+, V8, P2813

[2]

ALFEROV ZI, 1966, FIZ TVERD TELA, V8, P3513

[3]

ALFEROV ZI, 1968, FIZ TEKH POLUPROVODN, V2, P596

[4] CONDUCTION PROPERTIES OF GE-GAAS1-XPX N-N HETEROJUNCTIONS [J].

CHANG, LL .

[5] PHOTOVOLTAIC RESPONSE OF NGE-NSI HETERODIODES [J].

DONNELLY, JP ;

MILNES, AG .