ANALYSES FOR STOICHIOMETRY AND FOR HYDROGEN AND OXYGEN IN SILICON-NITRIDE FILMS

被引：41
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作者：
STEIN, HJ
PICRAUX, ST
HOLLOWAY, PH
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1978年 / 25卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1978.19215
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1008 / 1014
页数：7
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