THE EFFECT OF RIE ETCHING IN CHF3 CO2 PLASMA AND SUCCESSIVE RESIDUAL SILICON DAMAGE REMOVAL ON THE CONTACT RESISTANCE OF AL-NSI AND AL + 1-PERCENT SI-NSI CONTACTS

被引：0

作者：

SHENAI, K ^{[1
]}

ALMARAYATI, S ^{[1
]}

SAIA, R ^{[1
]}

LEWIS, N ^{[1
]}

SMITH, GA ^{[1
]}

BALIGA, BJ ^{[1
]}

机构：

[1] GE,CTR CORP RES & DEV,SCHENECTADY,NY 12309

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1988年 / 135卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C127 / C127

页数：1

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