A STUDY OF HIGH-POWER PULSED CHARACTERISTICS OF LOW-NOISE GAAS-MESFETS

被引：10

作者：

JAMES, DS

DORMER, L

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES | 1981年 / 29卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1981.1130556

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1298 / 1310

页数：13

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共 4 条

[1]

ARNOLD J, 1980, OCT P MIL MICR C LON, P651

[2]

SUZUKI T, 1979, 9TH EUR MICR C P BRI, P331

[3] MICROWAVE NANOSECOND PULSE BURNOUT PROPERTIES OF GAAS-MESFETS [J].

WHALEN, JJ ;

CALCATERA, MC ;

THORN, ML .

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, 1979, 27 (12) :1026-1031

[4]

WHALEN JJ, 1979, MAY MTT S INT MICR S