NBN BASED JOSEPHSON-JUNCTIONS WITH SILICON BARRIERS DEPOSITED AT 700-DEGREES-C

被引:1
作者
CUKAUSKAS, EJ
CARTER, WL
机构
关键词
D O I
10.1109/20.92519
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:1235 / 1238
页数:4
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