EFFECTS OF GALLIUM AND CESIUM IONS BOMBARDMENT ON SECONDARY-ELECTRON EMISSION FROM SILICON SINGLE-CRYSTAL

被引:0
作者
KASYMOV, AK
NORMURAD.M
机构
来源
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA | 1972年 / 17卷 / 05期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:1109 / &
相关论文
共 5 条
[1]  
APPELT G, 1961, ANN PHYSIK, V9, P30
[2]  
ARIFOV UA, 1954, ZH EKSP TEOR FIZ+, V26, P714
[3]  
BOLSHOV VG, 1960, FIZ TVERD TELA, V2, P1981
[4]   SECONDARY EMISSION STUDIES ON GE AND NA-COVERED GE [J].
PALMBERG, PW .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1967, 38 (05) :2137-&
[5]  
SHULMAN AR, 1968, FTT, V10, P1570