SELF-ALIGNED ALUMINUM GATE MOSFETS FABRICATED BY LASER ANNEAL TECHNOLOGY

被引：0

作者：

IWAMATSU, S ^{[1
]}

OGAWA, M ^{[1
]}

机构：

[1] VLSI TECHNOL RES ASSOC, COOPERAT LABS, TAKATSU KU, KAWASAKI 213, JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：C96 / C96

页数：1