LOW-FREQUENCY EMISSIONS FROM DEEP LEVELS IN GAAS-MESFETS

被引：12

作者：

DAS, MB ^{[1
]}

GHOSH, PK ^{[1
]}

机构：

[1] PENN STATE UNIV,DEPT ELECT ENGN,SOLID STATE DEVICE LAB,UNIVERSITY PK,PA 16802

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19820142

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：207 / 208

页数：2

共 6 条

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