NONUNIFORM STATE AND HYSTERESIS IN RESISTIVITY OF HEAVILY DOPED FERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS

被引:3
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作者
NAGAEV, EL [1 ]
GRIGIN, AP [1 ]
机构
[1] MINIST ELECTROTECH IND USSR, MOSCOW, USSR
关键词
D O I
10.1016/0038-1098(74)91359-3
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
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页数:3
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