SURFACE-BARRIER DETECTORS MADE OF P-TYPE SILICON (PREPARATION METHOD AND CHARACTERISTICS)

被引：0
作者：
KUSHNIRU.VF
NIKITINA, RA
KHARITON.YP
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1974年 / 7卷 / 07期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
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页码：933 / 935
页数：3
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共 12 条
[11]  
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