FAILURE OF ALUMINIUM CONTACTS TO SILICON IN SHALLOW DIFFUSED TRANSISTORS

被引：30

作者：

MCCARTHY, J

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0026-2714(70)90671-2

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：187 / &

共 7 条

[1]

BLACK JR, 1968, J ELECTROCHEM SOC, V115, pC242

[2] ELECTROMIGRATION IN THIN AL FILMS [J].

BLECH, IA ;

MEIERAN, ES .

[3]

CRATCHLEY D, 1967, B AM CERAM SOC, V46, P191

[4]

FISHER AW, 1966, J ELECTROCHEM SOC, V113, P1054

[5] STACKING FAULTS IN ANNEALED SILICON SURFACES [J].

LAWRENCE, JE .

[6]

SELLO H, 1968, J ELECTROCHEM SOC, V115, pC242

WORKMAN, W .