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OBSERVATION OF DEFECTS IN ION-IMPLANTED SILICON
被引：0
作者：
SADANA, DK
[1
]
机构：
[1] SIGNET CORP,PHILIPS RES LAB,SUNNYVALE,CA 94088
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页码：C328 / C328
页数：1
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