A MAGNETIC BARRIER LAYER ON INSB AND ITS CONTROL BY FIELD EFFECT

被引：15

作者：

PREUSS, E

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(70)90048-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：173 / &

共 15 条

[1]

KARAKUSHAN EI, 1962, SOV PHYS-SOL STATE, V3, P1476

[2]

MADELUNG O, 1955, Z NATURFORSCH PT A, V10, P476

[3]

MADELUNG O, 1964, PHYSICS 3 5 COMPOUND

[4] ELECTRICAL PROPERTIES OF GE MAGNETODIODES [J].

MERINSKY, K ;

BETKO, J ;

MORVIC, M ;

KORDOS, P .

[5]

PFLEIDERER H, IN PRESS

[6]

PREUSS E, 1969, THESIS U MUNCHEN

[7]

RAYMOND F, 1968, INT C SEMICONDUCTORS

[8]

RHZANOV AV, 1968, SOV PHYS SEMICOND, V1, P1428

[9]

WEISS H, 1965, FESTKORPERPROBLEME, V5

[10]

WEISSHAAR E, 1955, Z NATURFORSCH PT A, V10, P488