ANALYSIS OF THE CONDITIONS OF SMALL-ANGLE BOUNDARY APPEARANCE IN THE PROCESS OF SILICON SINGLE-CRYSTALS GROWING BY THE CZOCHRALSKI METHOD

被引：0
作者：
VORONOV, IN
SMIRNOV, VA
EIDENZON, AM
机构：
来源：
KRISTALLOGRAFIYA | 1979年 / 24卷 / 06期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要：
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页码：1259 / 1265
页数：7
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共 8 条
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