GALLIUM-ARSENIDE EPITAXY IN SILICON SUBSTRATE WINDOWS

被引：0

作者：

OSINSKII, VI

KATSAPOV, FM

机构：

来源：

DOKLADY AKADEMII NAUK BELARUSI | 1978年 / 22卷 / 02期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O [数理科学和化学]; P [天文学、地球科学]; Q [生物科学]; N [自然科学总论];

学科分类号：

07 ; 0710 ; 09 ;

摘要：

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页码：123 / 126

页数：4

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共 5 条

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