ENHANCEMENT OF LOW-TEMPERATURE CRITICAL EPITAXIAL THICKNESS OF SI(100) WITH ION-BEAM SPUTTERING (VOL 62, PG 570, 1993)

被引：1
作者：
SMITH, DL
CHEN, CC
ANDERSON, GB
HAGSTROM, SB
机构：
[1] XEROX CORP,PALO ALTO RES CTR,PALO ALTO,CA 94304
[2] STANFORD UNIV,DEPT MAT SCI,STANFORD,CA 94305
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1993年 / 63卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1063/1.110819
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
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[1]   ENHANCEMENT OF LOW-TEMPERATURE CRITICAL EPITAXIAL THICKNESS OF SI(100) WITH ION-BEAM SPUTTERING [J].
SMITH, DL ;
CHEN, CC ;
ANDERSON, GB ;
HAGSTROM, SB .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1993, 62 (06) :570-572
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