RANGE DISTRIBUTIONS OF MEV IMPLANTS IN SILICON-II - A COMPARISON OF SIMS AND SPREADING RESISTANCE PROFILES OF B,P AND GA

被引：21

作者：

INGRAM, DC

BAKER, JA

WALSH, DA

STRATHMAN, E

机构：

[1] CHARLES EVANS & ASSOCIATES,REDWOOD CITY,CA 94063

[2] UNIV DAYTON,RES INST,DAYTON,OH 45469

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(87)90878-0

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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