TRANSIENT SPACE-CHARGE PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS AT HIGH ELECTRIC-FIELDS

被引：3
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作者：
DALAL, VL [1 ]
LAMPERT, MA [1 ]
机构：
[1] PRINCETON UNIV,PRINCETON,NJ 08540
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1973年 / 16卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(73)90112-3
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：689 / 699
页数：11
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