ANALYSIS AND DESIGN OF AN X-BAND ACTIVELY COMPENSATED IMPATT DIODE AMPLIFIER

被引：5
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作者：
BAINS, AS
AITCHISON, CS
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES | 1979年 / 27卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1109/TMTT.1979.1129552
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页数：7
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