GAAS P-N JUNCTION DIODES FOR WIDE RANGE THERMOMETRY

被引：53
作者：
COHEN, BG
SNOW, WB
TRETOLA, AR
机构：
来源：
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS | 1963年 / 34卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1063/1.1718140
中图分类号：
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号：
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要：
引用
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页码：1091 / &
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[1]  
Barton L. E., 1962, ELECTRONICS, V35, P38
[2]  
Harris H., 1961, SCI AM, V204, P192
[3]   SEMICONDUCTOR DIODES AND TRANSISTORS AS ELECTRICAL THERMOMETERS [J].
MCNAMARA, AG .
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 1962, 33 (03) :330-&
[4]   CARRIER GENERATION AND RECOMBINATION IN P-N JUNCTIONS AND P-N JUNCTION CHARACTERISTICS [J].
SAH, CT ;
NOYCE, RN ;
SHOCKLEY, W .
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1957, 45 (09) :1228-1243
[5]  
WHELAN JM, 1959, SEMICONDUCTORS, pCH9
1