LOW-TEMPERATURE EPITAXY OF BETA-SIC BY REACTIVE DEPOSITION

被引：36

作者：

LEARN, AJ

HAQ, KE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1653238

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：26 / &

共 9 条

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