PHOTOEMISSION AND DENSITY OF STATES IN AMORPHOUS-SILICON

被引：2

作者：

BERNER, H ^{[1
]}

MUNZ, P ^{[1
]}

BUCHER, E ^{[1
]}

KESSLER, F ^{[1
]}

PAASCHE, SM ^{[1
]}

机构：

[1] TECH UNIV STUTTGART,INST PHYS ELEKTR,D-7000 STUTTGART 80,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(87)90203-1

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：847 / 850

页数：4

共 3 条

CODY, GD ;

TIEDJE, T ;

ABELES, B ;

BROOKS, B ;

GOLDSTEIN, Y .

[2] DENSITY-OF-STATES DISTRIBUTION IN THE MOBILITY GAP OF A-SI-H [J].

FRITZSCHE, H .

GRIEP, S ;

LEY, L .