MEMORY BEHAVIOR OF THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT DEVICES

被引：8

作者：

ALT, PM ^{[1
]}

HOWARD, WE ^{[1
]}

SAHNI, O ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1979.19763

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1850 / 1850

页数：1